S8050 transistor (NPN)
Биполярный транзистор (Hfe=85-300; Pc=1W; Ic=1.5A)
- Тип:
- Биполярный транзистор
- Принцип:
- NPN
- Мощность (Pcm):
- 1 W
- Ток коллектора (Icm):
- 1.5 A
- Напряжение коллектор-база (V(BR)cbo):
- 40 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (V(BR)ceo):
- 25 V
- Напряжение база-эмиттер (V(BR)ebo):
- 6 V
- Коллекторный ток осечки (Icbo):
- 0.1 microA
- Эмиттерный ток отсечки (Iebo):
- 0.1 microA
- Напряжение насыщения база-эмиттер:
- 0.98 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
- 0.28 V
- Коэффициент передачи тока:
- 85-300
- Частота:
- 100 Mhz