S8550 transistor (PNP)
Биполярный транзистор (Hfe=40-400; Pc=1W; Ic=0.7A)
- Тип:
- Биполярный транзистор
- Принцип:
- PNP
- Мощность (Pcm):
- 1 W
- Ток коллектора (Icm):
- 0.7 A
- Напряжение коллектор-база (V(BR)cbo):
- 30 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (V(BR)ceo):
- 20 V
- Напряжение база-эмиттер (V(BR)ebo):
- 5 V
- Коллекторный ток осечки (Icbo):
- 1 microA
- Эмиттерный ток отсечки (Iebo):
- 100 nA
- Напряжение насыщения база-эмиттер:
- 1.2 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
- 0.5 V
- Коэффициент передачи тока:
- 70-400
- Частота:
- 80 MHz